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삼성전자, 최첨단 EUV반도체에 3차원 적층 기술 최초 적용

 

삼성전자가 13일 업계 최초로 7나노 EUV 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술인 ‘X-Cube’를 적용한 테스트 칩 생산에 성공했음을 알렸다.

 

이로써 삼성전자는 최첨단 EUV 초미세 전공정뿐 아니라 후공정에서도 첨단 기술 경쟁력을 확보하게 됐으며 이는 ‘반도체 비전 2030’을 달성하는 데 큰 역할을 할 것으로 기대된다.

 

‘X-Cube’는 전공정을 마친 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층해 하나의 반도체로 만드는 기술이다.

 

시스템반도체는 일반적으로 CPU·GPU·NPU 등의 역할을 하는 로직 부분과 캐시메모리(Cache memory) 역할을 하는 SRAM 부분을 하나의 칩에 평면으로 나란히 배치해 설계한다.

 

‘X-cube’ 기술은 로직과 SRAM을 단독으로 설계·생산해 위로 적층하기 때문에 전체 칩 면적을 줄이면서 고용량 메모리 솔루션을 장착할 수 있어 고객의 설계 자유도를 높일 수 있다.

 

또 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 시스템반도체의 데이터 처리 속도를 획기적으로 향상 시킬 수 있고 전력 효율도 높일 수 있다.

 

이 외에도 위아래 칩의 데이터 통신 채널을 고객 설계에 따라 자유자재로 확장할 수 있고 신호 전송 경로 또한 최소화할 수 있어 데이터 처리 속도 극대화할 수 있다는 장점이 있다.

 

이 기술은 슈퍼컴퓨터·인공지능·5G 등 고성능 시스템반도체를 요구하는 분야는 물론 스마트폰과 웨어러블 기기의 경쟁력을 높일 수 있는 핵심 기술로 활용될 것으로 예상된다.

(시사1 = 장현순 기자)

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